肖特基二極管
“不是所有的二極管都叫肖特基，
也不是所有的肖特基都是ASEMI”
低功耗 | 大電流 | 超高速
正向電壓降小，無存儲電荷
適合：低壓高頻整流
擊穿隔離，漏電消失
硅接觸勢壘工藝
一般采用金屬—半導體接觸來形成肖特基勢壘，但是由于金屬與半導體接觸時，接觸界面之間SiO2層的存在，使得接觸電阻和表面態密度明顯增大，致使器件的性能大大降低
我們采用了擴散勢壘和多層金屬化技術，為了提高反向性能，采用了保護環結構等新工藝技術
寬“S”形彎曲觸須
壓力接觸的鍍金上引線
? 為減小封裝串聯電阻，降低正向壓降，盡量加大了引線與芯片的接觸面積
? 軸向引線，殼體透明，體積小、重量輕、可靠性高
? 符合GB7581《半導體分立器件外形尺寸》的標準要求
濺射和退火
關鍵工藝解決方案
達到最佳勢壘金屬厚度和形成最佳表面，使管芯獲得最好的電參數性能及較高的成品率
封裝前對芯片進行100%的鏡檢，剔除有缺陷的芯片
品牌旗下肖特基二極管成員8
8大系列產品
適用廣泛
10
10大封裝工藝
品質保障
78
20道工藝流程
精益求精
198
198種規格型號
供您挑選
20
Process flows
道工藝流程
1.投片打標
2.清洗氧化
3.OAP以及勻膠
4.光刻曝光,顯影,后拱
5.堅膜,腐蝕
6.堅膜,注入
7.去膠
8.B推結,氧化形成P+隔離
9.光刻,刻引線孔
10.清洗P-注入前氧化
11.P-注入提高電壓
降低漏電流
12.漂酸去掉引線孔氧化層
13.清洗蒸CR
14.合金形成合金勢壘
15.扒CR
16.清洗蒸發,蒸發鋁
17.反刻鋁
18.背面減薄
19.清洗漂酸背面金屬化
20.成型測試
肖特基勢壘的
反向抗燒毀能力
? 高溫下檢查反向漏電特性，并對樣品進行破壞性物理實驗
? 硬擊穿特性曲線，常溫漏電流極小，為0.2—0.3mA
? 200mA擊穿電流下，特性曲線穩定，不出現漏電流變大，
曲線變軟以及蠕變溝道、鼓泡、穿通等失效模式
肖特基二極管5大特點正向壓
降低
擊穿特性
穩定
漏電
小
反向恢復
時間短
能承受大的
浪涌電流
選擇 品牌
請認準包裝
? 印刷精美，包裝嚴實
? 紙板厚實，更好地保護產品
? ASEMI標志，品質保障
肖特基二極管廣泛應用于開關電源、變頻器、驅動器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續流二極管、保護二極管使用，或在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管使用。歡迎咨詢 取樣測試。